Производитель Номер продукта:
TJ60S06M3L,LXHQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TJ60S06M3L,LXHQ-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Подробное описание:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Инвентаризация:
1828 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939584
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
mWKc
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TJ60S06M3L,LXHQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+10V, -20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7760 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK+
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TJ60S06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
TJ60S06M3L,LXHQ(O
264-TJ60S06M3LLXHQTR
264-TJ60S06M3LLXHQCT
264-TJ60S06M3LLXHQDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT20M34SLLG/TR
MOSFET N-CH 200V 74A D3PAK
2SK3755-AZ
TRANSISTOR
NTLUS030N03CTAG
MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
