Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Belarus
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Belarus
Переключить:
Английский
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
TK12A80W,S4X
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK12A80W,S4X-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
Подробное описание:
N-Channel 800 V 11.5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
40 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891176
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
l
A
q
n
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK12A80W,S4X Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 570µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TK12A80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
TK12A80W
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
TK12A80W,S4X(S
TK12A80WS4X
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STF10NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
553
Номер части
STF10NM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.34
Тип замещения
Similar
Номер детали
STF11N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4
Номер части
STF11N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.83
Тип замещения
Similar
Номер детали
FCPF7N60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
988
Номер части
FCPF7N60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.08
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPA60R600E6XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPA60R600E6XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.86
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPCA8056-H,LQ(M
MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
TK560A60Y,S4X
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
TPN3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
TK750A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS