TPH11006NL,LQ
Производитель Номер продукта:

TPH11006NL,LQ

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

TPH11006NL,LQ-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Подробное описание:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 1.6W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Инвентаризация:

33953 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890903
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
3KEO
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TPH11006NL,LQ Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta), 34W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPH11006

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
TPH11006NLLQCT
TPH11006NLLQTR
TPH11006NL,LQ(S
TPH11006NLLQDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3868(Q,M)

MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH12008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP

diodes

DMN1004UFV-13

MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

toshiba-semiconductor-and-storage

TK9A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS