Производитель Номер продукта:
TPN1110ENH,L1Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TPN1110ENH,L1Q-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Инвентаризация:
34748 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891567
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
h0nC
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TPN1110ENH,L1Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
600 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
TPN1110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
TPN1110ENHL1QCT
TPN1110ENHL1QTR
TPN1110ENHL1QDKR
TPN1110ENH,L1Q(M
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN2025UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
TPH14006NH,L1Q
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
TK14N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
