Производитель Номер продукта:
2N7002
Product Overview
Производитель:
UMW
Номер детали:
2N7002-DG
Описание:
S0T-23 MOSFETS ROHS
Подробное описание:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Инвентаризация:
274 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13002552
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
YKlN
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N7002 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
UMW
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
UMW
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
115mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)
20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
225mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
2N7002
Технический паспорт и документы
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
4518-2N7002TR
4518-2N7002CT
4518-2N7002DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FBG04N08ASH
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
IMYH200R100M1HXKSA1
SIC DISCRETE
DMTH10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
