Производитель Номер продукта:
IRF840LCSTRL
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
IRF840LCSTRL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12912963
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
wdH3
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF840LCSTRL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IRF840
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDB12N50TM
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1
Номер части
FDB12N50TM-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.91
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB11NK50ZT4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
872
Номер части
STB11NK50ZT4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.34
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFI9634GPBF
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
IRF9630PBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
IXFA4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263