Производитель Номер продукта:
SI1078X-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1078X-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Подробное описание:
N-Channel 30 V 1.02A (Tc) 240mW (Tc) Surface Mount
Инвентаризация:
5997 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12959790
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
MgAH
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1078X-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.02A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
142mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
110 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
240mW (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Базовый номер продукта
SI1078
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1078X-T1-GE3TR
SI1078X-T1-GE3CT-DG
742-SI1078X-T1-GE3CT
SI1078X-T1-GE3DKR
742-SI1078X-T1-GE3DKR
SI1078X-T1-GE3TR-DG
SI1078X-T1-GE3DKR-DG
742-SI1078X-T1-GE3TR
SI1078X-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFD020PBF
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
SI7454CDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
SI3410DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
