Производитель Номер продукта:
SI1317DL-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1317DL-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Подробное описание:
P-Channel 20 V 1.4A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Инвентаризация:
7217 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915919
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
gTqk
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1317DL-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
272 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-3
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Базовый номер продукта
SI1317
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1317DL-T1-GE3DKR
SI1317DL-T1-GE3TR
SI1317DL-T1-GE3CT
SI1317DL-T1-GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI6423DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
SQP120N10-09_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
SI7862ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
