Производитель Номер продукта:
SI3446ADV-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI3446ADV-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
Подробное описание:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
12917948
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
mo4T
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI3446ADV-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
37mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
640 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
SI3446
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
ZXMN2B03E6TA
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2518
Номер части
ZXMN2B03E6TA-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.24
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RUQ050N02TR
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2985
Номер части
RUQ050N02TR-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.31
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIA400EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
SUP90140E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8