Производитель Номер продукта:
SI6433BDQ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI6433BDQ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
Подробное описание:
P-Channel 12 V 4A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Инвентаризация:
12919029
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI6433BDQ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
40mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.05W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSSOP
Упаковка / Чехол
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Базовый номер продукта
SI6433
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI6433BDQ-T1-GE3TR
SI6433BDQ-T1-GE3DKR
SI6433BDQT1GE3
SI6433BDQ-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI6423DQ-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8352
Номер части
SI6423DQ-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.65
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHW70N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
SI4396DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
SIHF15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
