Производитель Номер продукта:
SIA485DJ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIA485DJ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
Подробное описание:
P-Channel 150 V 1.6A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Инвентаризация:
11219 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12961356
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
jqWh
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIA485DJ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
155 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
15.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта
SIA485
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIA485DJ-T1-GE3CT
SIA485DJ-T1-GE3TR
SIA485DJ-T1-GE3DKR
SIA485DJ-T1-GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUD25N15-52-E3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
SI7440DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
IRLI640G
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3