Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Belarus
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Belarus
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIHG64N65E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG64N65E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12917532
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG64N65E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
47mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
369 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7497 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG64
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIHG64N65E-GE3
HTML Спецификация
SIHG64N65E-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SIHG64N65E-GE3-DG
742-SIHG64N65E-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
APT60N60BCSG
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
137
Номер части
APT60N60BCSG-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
15.64
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCH040N65S3-F155
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1185
Номер части
FCH040N65S3-F155-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.17
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPW65R045C7FKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1670
Номер части
IPW65R045C7FKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
6.73
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TK62N60X,S1F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
102
Номер части
TK62N60X,S1F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.71
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TSM60NB041PW C1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Taiwan Semiconductor Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2485
Номер части
TSM60NB041PW C1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
8.76
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMV164ENEAR
MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
SI4056DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
BUK6E2R3-40C,127
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
PMT280ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223