Производитель Номер продукта:
SQD50N10-8M9L_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQD50N10-8M9L_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Подробное описание:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
5984 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915892
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Xgal
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQD50N10-8M9L_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2950 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SQD50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SQD50N10-8M9L_GE3TR
SQD50N10-8M9L_GE3DKR
SQD50N10-8M9L_GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI2367DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
SI3415A-TP
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
SI1317DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
